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深圳市虹美功率半导体有限公司

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高压超结MOS

产品列表


型号（Part Number） 工艺
(Technology)		 封装（Package） 沟道（Polarity） VDS(Max)
BVDSS(V)		 ID(Max)
ID(A)		 IDM VTH
(Typ)		 VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)		 直接替代型号（compatible）


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超结工艺(Super-Junction) 超结工艺
(Super-Junction)
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DFN5X6-8L SOP-8 SOT223-2L SOT223-3L TO-220 TO-220F TO-247 TO-251 TO-252 TO-263
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N沟道 N沟道/带ESD
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HMS20N80T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS20N80D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS15N80D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS20N70T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS20N70D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS16N70D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 16.00A 48.00A 3.00V 20.00V 205.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R230P6/IPP70R230C6/IPP70R230E6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS29N65T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 28.00A 112.00A 3.00V 30.00V 96.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R110/IPA65R110/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS25N65T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 25.00A 100.00A 3.00V 30.00V 115.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R130/IPA65R130/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS21N65T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS21N65D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS17N65D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 17.00A 51.00A 3.00V 30.00V 185.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R210/IPA65R210/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS15N50D 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-263 N沟道 500.00V 15.00A 45.00A 3.50V 30.00V 280.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R250P6/IPP50R250C6/IPP50R250E6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS40N65T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道 650.00V 40.00A 120.00A 3.00V 20.00V 68.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R080C6/IPA65R080C6/IPP65R080E6/IPA65R080E6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS65N65T 超结工艺
(Super-Junction)		 TO-247 N沟道 650.00V 65.00A 195.00A 3.00V 20.00V 39.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R041C6/IPA65R041C6/多层外延工艺，抗冲击性强