Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

Language:English

高压超结MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


Reset

HMS5N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R600/IPA65R600/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 11.00A 33.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS10N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 10.00A 30.00A 30.00V 30.00V 580.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R650P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强