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深圳市虹美功率半导体有限公司

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N沟道 低压MOS

产品列表


型号（Part Number） 工艺
(Technology)		 封装（Package） 沟道（Polarity） VDS(Max)
BVDSS(V)		 ID(Max)
ID(A)		 IDM VTH
(Typ)		 VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)		 直接替代型号（compatible）


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沟槽工艺(Trench) 沟槽工艺
(Trench)
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DFN1006-3L DFN2X2-6L SOP8 SOT-223 SOT-323 SOT-523 SOT-723 SOT-89 SOT23 SOT23-3L SOT23-6L
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N沟道 N沟道/带ESD保护
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HM3400F 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM2N15R 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM2302DR 沟槽工艺
(Trench)		 DFN1006-3L N沟道/带ESD保护 20.00V 0.90A 3.60A 0.45V 6.00V 0.00mΩ 220.00mΩ 260.00mΩ AON1606
HM2300 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 20.00V 4.50A 13.50A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 22.00mΩ 33.00mΩ AP2312/SI2312/SI2300/AP2300
HM3416E 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道/带ESD保护 20.00V 6.00A 30.00A 0.70V 12.00V 0.00mΩ 19.00mΩ 0.00mΩ AO3416
HM3400 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 30.00V 5.80A 30.00A 0.90V 12.00V 31.00mΩ 34.00mΩ 45.00mΩ AO3400/AO3402/AP2306/SI2306/APM2306/WNM2306
HM3400D 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 30.00V 5.00A 20.00A 0.90V 12.00V 26.00mΩ 30.00mΩ 46.00mΩ AO3400/AO3402/AO3406/AP2306SI2306/APM2306/WNM2306
HM2318 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 40.00V 4.00A 16.00A 3.00V 20.00V 33.00mΩ 46.00mΩ 0.00mΩ Si2318
HM2310 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 60.00V 3.00A 10.00A 1.40V 20.00V 105.00mΩ 125.00mΩ 0.00mΩ AP2310GN/APM2360A/ AO3422IRFL014/UT3N06
HM3422 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 60.00V 3.00A 10.00A 1.40V 20.00V 105.00mΩ 125.00mΩ 0.00mΩ AO3422/AP2310GN/APM2360A/CES2362/VN3205/VN2204/IRFL014/UT3N06
HM4450A新 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM06N15MR 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 150.00V 0.60A 6.00A 1.80V 20.00V 700.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM2N20MR 沟槽工艺
(Trench)		 SOT23-3L N沟道 200.00V 2.00A 8.00A 3.40V 20.00V 1400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ STP2N20/RFP2N20/ME2N20MTD2N20
HM3N20MR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM3N20PR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM3N10MR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM3N10AMR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ