Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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N+P沟道 低压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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BSS8402DM 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 50.00V 0.34A 1.36A 1.20V 20.00V 2.50mΩ 3.20mΩ 0.00mΩ
BSS8402DM 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 -55.00V -0.30A -0.90A -1.50V -20.00V 8.00mΩ 10.00mΩ 22.00mΩ
HM6604DB 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道/带ESD保护 20.00V 0.90A 5.00A 0.45V 8.00V 220.00mΩ 260.00mΩ 0.00mΩ AO6604
HM6604DB 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道/带ESD保护 -20.00V -0.80A -4.00A -0.45V -8.00V 350.00mΩ 550.00mΩ 780.00mΩ AO6604
HM6604 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 20.00V 3.00A 13.00A 0.75V 12.00V 0.00mΩ 29.00mΩ 0.00mΩ AO6604
HM6604 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 -20.00V -3.00A -13.00A -0.70V -12.00V 0.00mΩ 78.00mΩ 102.00mΩ AO6604
HM6602 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 30.00V 3.60A 15.00A 1.50V 20.00V 58.00mΩ 40.00mΩ 0.00mΩ AO6602/AO6604/SI3552/FDC6333/FDC6327/FDC6420
HM6602 沟槽工艺
(Trench)
SOT23-6L N+P沟道 -30.00V -2.50A -10.00A -1.60V -20.00V 72.00mΩ 110.00mΩ 0.00mΩ AO6602/AO6604/SI3552/FDC6333/FDC6327/FDC6420