深圳市虹美功率半导体有限公司

N+P沟道 中压大电流MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM603K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 -60.00V -12.00A -30.00A -1.50V -20.00V 84.00mΩ 100.00mΩ 0.00mΩ AOD603
HM603K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 60.00V 20.00A 60.00A 1.60V 20.00V 24.00mΩ 30.00mΩ 0.00mΩ AOD603
HM607K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 -30.00V -19.00A -60.00A -1.80V -20.00V 28.00mΩ 48.00mΩ 0.00mΩ AOD607
HM607K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 30.00V 25.00A 90.00A 2.00V 20.00V 8.50mΩ 11.80mΩ 0.00mΩ AOD607
HM609K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 -40.00V -15.00A -28.00A -2.00V -20.00V 25.00mΩ 49.00mΩ 0.00mΩ AOD609
HM609K 沟槽工艺
(Trench)
TO-252-4L N+P沟道 40.00V 20.00A 35.00A 2.00V 20.00V 16.00mΩ 30.00mΩ 0.00mΩ AOD609