Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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N+P沟道 低压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM4640D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 40.00V 4.00A 16.00A 3.00V 20.00V 0.00mΩ 33.00mΩ 0.00mΩ
HM4640D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 -40.00V -5.00A -20.00A -1.80V -20.00V 0.00mΩ 72.00mΩ 110.00mΩ
HM4630D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 30.00V 5.00A 15.00A 0.90V 12.00V 0.00mΩ 30.00mΩ 0.00mΩ
HM4630D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 -30.00V -5.00A -15.00A -0.90V -12.00V 0.00mΩ 60.00mΩ 95.00mΩ
HM4620D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 20.00V 5.00A 15.00A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 29.00mΩ 0.00mΩ WCM2001
HM4620D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N+P沟道 -20.00V -5.00A -15.00A -0.70V -12.00V 0.00mΩ 78.00mΩ 102.00mΩ WCM2001