Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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N沟道 低压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM2300PR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-89 N沟道 20.00V 5.50A 20.00A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 22.00mΩ 33.00mΩ
HM3400PR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-89 N沟道 30.00V 6.80A 30.00A 0.90V 12.00V 24.00mΩ 29.00mΩ 39.00mΩ XP161A/DTS3058/DTS2058
HM2318APR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-89 N沟道 40.00V 6.00A 24.00A 1.80V 20.00V 28.00mΩ 38.00mΩ 0.00mΩ
HM2310PR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-89 N沟道 60.00V 4.00A 12.00A 1.10V 20.00V 100.00mΩ 120.00mΩ 0.00mΩ
HM2N15PR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-89 N沟道 150.00V 2.00A 6.00A 2.00V 20.00V 260.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ STP2N15/RFP2N15/ME2N15/MTD2N15
HM2300DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 20.00V 8.00A 32.00A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 22.00mΩ 33.00mΩ AON2406/AON2408/IRLHS6242
HM3400DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 30.00V 8.00A 32.00A 0.90V 12.00V 31.00mΩ 34.00mΩ 45.00mΩ AON2410/AON2420
HM2318D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 40.00V 6.00A 20.00A 1.00V 20.00V 32.00mΩ 50.00mΩ 0.00mΩ AON2240
HM2310DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 60.00V 4.00A 12.00A 1.10V 20.00V 105.00mΩ 125.00mΩ 0.00mΩ AON2260
HM4N10D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 100.00V 4.00A 16.00A 1.50V 20.00V 135.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ