Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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N沟道 低压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM2302KR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-323 N沟道 20.00V 3.00A 6.00A 0.70V 10.00V 0.00mΩ 30.00mΩ 37.00mΩ AO7414/AO7404/Si1308EDL/Si1302DL
HM2302BKR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-323 N沟道/带ESD保护 20.00V 0.90A 1.80A 0.45V 8.00V 0.00mΩ 220.00mΩ 260.00mΩ Si1062X/Si1012/AO5404E/Si1032X/ME1702
HM3400KR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-323 N沟道 30.00V 0.80A 3.20A 1.00V 10.00V 0.00mΩ 280.00mΩ 370.00mΩ
BSS138KR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-323 N沟道 50.00V 0.34A 1.36A 1.20V 20.00V 0.00mΩ 1.00mΩ 1.20mΩ
HM7002KR 沟槽工艺
(Trench)
SOT-323 N沟道 60.00V 0.12A 0.80A 1.60V 20.00V 1.40mΩ 1.80mΩ 0.00mΩ 2N7002/BSS138/FDV301N/2SJ210
HM2300DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 20.00V 8.00A 32.00A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 22.00mΩ 33.00mΩ AON2406/AON2408/IRLHS6242
HM3400DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 30.00V 8.00A 32.00A 0.90V 12.00V 31.00mΩ 34.00mΩ 45.00mΩ AON2410/AON2420
HM2318D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 40.00V 6.00A 20.00A 1.00V 20.00V 32.00mΩ 50.00mΩ 0.00mΩ AON2240
HM2310DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 60.00V 4.00A 12.00A 1.10V 20.00V 105.00mΩ 125.00mΩ 0.00mΩ AON2260
HM4N10D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 100.00V 4.00A 16.00A 1.50V 20.00V 135.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ