Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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中压大电流SGT MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HMS80N85D SGT工艺
(Split Gate)
TO-263 N沟道 80.00V 85.00A 255.00A 3.00V 20.00V 6.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS4030D SGT工艺
(Split Gate)
TO-263 N沟道 100.00V 115.00A 345.00A 2.50V 20.00V 8.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRLB4030/IRFB4310/AOT1100/AOT290/AOT410
HMS80N85 SGT工艺
(Split Gate)
TO-220 N沟道 80.00V 85.00A 255.00A 3.00V 20.00V 6.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS125N10D SGT工艺
(Split Gate)
DFN5X6-8L N沟道 100.00V 125.00A 500.00A 2.50V 20.00V 3.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS4030 SGT工艺
(Split Gate)
TO-220 N沟道 100.00V 115.00A 345.00A 2.50V 20.00V 8.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRLB4030/IRFB4310/AOT1100/AOT290/AOT410
HMS4110T SGT工艺
(Split Gate)
TO-247 N沟道 100.00V 180.00A 720.00A 3.00V 20.00V 3.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/AOT290/AOT410