高压MOS-深圳市虹美功率半导体有限公司

产品列表

型号（Part Number）	工艺 (Technology)	封装（Package）	沟道（Polarity）	VDS(Max) BVDSS(V)	ID(Max) ID(A)	IDM	VTH (Typ)	VGS	RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)	直接替代型号（compatible）
Reset	平面工艺(planar) 平面工艺 (planar) Reset	SOT-223 SOT-89 SOT23-3L TO-220 TO-220F TO-223 TO-251 TO-252 TO-263 TO-3P TO-92 Reset	N沟道 Reset	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK

HM2N25MR	平面工艺 (planar)	SOT23-3L	N沟道	250.00V	2.00A	10.00A	2.50V	20.00V	1.30mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ
HM5N60I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	600.00V	5.00A	20.00A	3.00V	30.00V	2.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP5N60/FQN5N60/UTC5N60/STP5N60
HM4N70I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	700.00V	4.00A	16.00A	3.00V	30.00V	2.50mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP4N70/FQA4N70/FQB4N70/SVF4N70/IXTH4N70/UTC4N7
HM6N70I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	700.00V	6.00A	24.00A	3.00V	30.00V	1.80mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP6N70/FQA6N70/FQB6N70/SVF6N70/IXTH6N70/UTC6N70
HM3N80I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	800.00V	3.00A	12.00A	3.00V	30.00V	4.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP3N80/FQN3N80/UTC3N80/STP3N80
HM3N90I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	900.00V	3.00A	12.00A	3.00V	30.00V	4.70mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP3N90/FQA3N90/UTC3N90/STP3N90
HM0565	平面工艺 (planar)	SOT23-3L	N沟道	650.00V	0.50A	2.00A	3.00V	30.00V	9.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	AO3160/AO3162
HM2N60	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	600.00V	2.00A	6.00A	3.00V	30.00V	3.80mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP2N60/FQN2N60/UTC2N60/STP2N60/2SK3067
HM4N60	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	600.00V	4.00A	16.00A	3.00V	30.00V	1.70mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP4N60/FQN4N60/UTC4N60/STP4N60
HM1N50MR	平面工艺 (planar)	SOT23-3L	N沟道	500.00V	1.00A	3.00A	3.00V	30.00V	9.20mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQD1N50/STP1N50/UTC1N50
HM3N70I	平面工艺 (planar)	TO-251	N沟道	700.00V	3.00A	12.00A	3.00V	30.00V	3.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP3N70/FQN3N70/UTC3N70/STP3N70