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深圳市虹美功率半导体有限公司

高压超结MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


Reset

HMS20N65D8 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS5N90R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6
HMS5N90R 超结工艺
(Super-Junction)
TO-251 N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6
HMS5N90I 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6
HMS5N90K 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6
HMS5N90F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6
HMS20N80T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N80D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N80F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N80D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N80F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS10N80K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 800.00V 10.00A 30.00A 30.00V 30.00V 580.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R650P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS10N80F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 800.00V 10.00A 30.00A 30.00V 30.00V 580.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R650P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS7N80I 超结工艺
(Super-Junction)
TO-251 N沟道/带ESD 800.00V 7.00A 21.00A 3.00V 30.00V 740.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R900P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS7N80K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 800.00V 7.00A 21.00A 3.00V 30.00V 740.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R900P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS7N80F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 800.00V 7.00A 21.00A 3.00V 30.00V 740.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R900P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道/带ESD 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80R 超结工艺
(Super-Junction)
TO-251 N沟道/带ESD 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80I 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80K 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道/带ESD 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS16N70D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 16.00A 48.00A 3.00V 20.00V 205.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R230P6/IPP70R230C6/IPP70R230E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS16N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 16.00A 48.00A 3.00V 20.00V 205.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R230P6/IPP70R230C6/IPP70R230E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N70Q 超结工艺
(Super-Junction)
DFN5X6-8L N沟道/带ESD 700.00V 11.00A 30.00A 3.00V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R450P6/IPP70R450C6/IPP70R450E6/IPP70R450E6/IPP70R450C6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N70K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 700.00V 11.00A 30.00A 3.00V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R450P6/IPP70R450C6/IPP70R450E6/IPP70R450E6/IPP70R450C6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 11.00A 30.00A 3.00V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R450P6/IPP70R450C6/IPP70R450E6/IPP70R450E6/IPP70R450C6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N70Q 超结工艺
(Super-Junction)
DFN5X6-8L N沟道 700.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R340P6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6
HMS15N70K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道 700.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R340P6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6
HMS8N70K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 700.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 520.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R600/IPA70R60/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 520.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R600/IPA70R60/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N70R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道/带ESD 700.00V 5.00A 15.00A 3.00V 30.00V 955.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N70R 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道/带ESD 700.00V 5.00A 15.00A 3.00V 30.00V 955.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N70K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 700.00V 5.00A 15.00A 3.00V 30.00V 955.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 5.00A 15.00A 3.00V 30.00V 955.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N70R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道/带ESD 700.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N70R 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 700.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N70K 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道/带ESD 700.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 700.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS29N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 28.00A 112.00A 3.00V 30.00V 96.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R110/IPA65R110/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS25N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 25.00A 100.00A 3.00V 30.00V 115.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R130/IPA65R130/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS25N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 650.00V 25.00A 100.00A 3.00V 30.00V 115.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R130/IPA65R130/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS17N65D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 17.00A 51.00A 3.00V 30.00V 185.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R210/IPA65R210/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS17N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 650.00V 17.00A 51.00A 3.00V 30.00V 185.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R210/IPA65R210/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N65Q 超结工艺
(Super-Junction)
DFN5X6-8L N沟道 650.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 230.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R225C7/IPA65R225C7 IPP65R280/IPA65R280
HMS15N65K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道 650.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 230.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R225C7/IPA65R225C7 IPP65R280/IPA65R280
HMS11N65Q 超结工艺
(Super-Junction)
DFN5X6-8L N沟道/带ESD 650.00V 11.00A 33.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N65K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 650.00V 11.00A 33.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 650.00V 11.00A 33.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N65K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 650.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R600/IPA65R600/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 650.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R600/IPA65R600/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N65R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道/带ESD 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N65R 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道/带ESD 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N65K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 650.00V 5.00A 15.00A 3.00V 20.00V 950.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS1N65S 超结工艺(Super-Junction) SOP-8 N沟道 650.00V 1.00A 3.00A 3.00V 30.00V 1200.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS3N65R2 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-2L N沟道 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N65R 超结工艺
(Super-Junction)
SOT223-3L N沟道/带ESD 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N65K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道/带ESD 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道/带ESD 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N50D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道 500.00V 15.00A 45.00A 3.50V 30.00V 280.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R250P6/IPP50R250C6/IPP50R250E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N50F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 500.00V 15.00A 45.00A 3.50V 30.00V 280.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R250P6/IPP50R250C6/IPP50R250E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS10N50K 超结工艺
(Super-Junction)
TO-252 N沟道 500.00V 10.00A 30.00A 3.50V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R400P6/IPP50R400C6/IPP50R400E6/IPP50R400E6/IPP50R400C6/
HMS10N50F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 500.00V 10.00A 30.00A 3.50V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R400P6/IPP50R400C6/IPP50R400E6/IPP50R400E6/IPP50R400C6/
HMS10N50 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 500.00V 10.00A 30.00A 3.50V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R400P6/IPP50R400C6/IPP50R400E6/IPP50R400E6/IPP50R400C6/
HMS15N50 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 500.00V 15.00A 45.00A 3.50V 30.00V 280.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R250P6/IPP50R250C6/IPP50R250E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R600/IPA65R600/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 650.00V 11.00A 33.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS13N65Q 超结工艺
(Super-Junction)
DFN5X6-8L N沟道 650.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 240.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R280C6/IPA65R280C6/SGF280N65W3/IPP65R280E6/IPA65R280E6/LSC13N65/LSD13N65/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 650.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 230.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R225C7/IPA65R225C7 IPP65R280/IPA65R280
HMS17N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 650.00V 17.00A 51.00A 3.00V 30.00V 185.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R210/IPA65R210/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS25N65 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 650.00V 25.00A 100.00A 3.00V 30.00V 115.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R130/IPA65R130/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS29N65F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 650.00V 28.00A 112.00A 3.00V 30.00V 96.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R110/IPA65R110/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS40N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道 650.00V 40.00A 120.00A 3.00V 20.00V 68.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R080C6/IPA65R080C6/IPP65R080E6/IPA65R080E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS65N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道 650.00V 65.00A 195.00A 3.00V 20.00V 39.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R041C6/IPA65R041C6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS3N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 700.00V 3.00A 9.00A 3.50V 20.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R1K5/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 700.00V 5.00A 15.00A 3.00V 30.00V 955.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS8N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 700.00V 8.00A 24.00A 3.00V 30.00V 520.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R600/IPA70R60/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS11N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 700.00V 11.00A 30.00A 3.00V 30.00V 400.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R450P6/IPP70R450C6/IPP70R450E6/IPP70R450E6/IPP70R450C6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N70F 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220F N沟道 700.00V 15.00A 45.00A 3.00V 30.00V 300.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R340P6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6/IPP70R340C6/ IPP70R340E6
HMS16N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 700.00V 16.00A 48.00A 3.00V 20.00V 205.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R230P6/IPP70R230C6/IPP70R230E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 800.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1050.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R1K2P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS7N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 800.00V 7.00A 21.00A 3.00V 30.00V 740.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R900P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS10N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 10.00A 30.00A 30.00V 30.00V 580.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R650P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N80 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS5N90_HMS5N90F 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HMS5N90 超结工艺
(Super-Junction)
TO-220 N沟道 900.00V 5.00A 15.00A 3.50V 30.00V 1480.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP90R1K2P6