Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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高压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM1N60PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 600.00V 1.30A 5.00A 3.00V 30.00V 11.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
HM2N65PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 650.00V 2.00A 6.00A 3.00V 30.00V 7.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65
HM2N50PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 500.00V 2.00A 4.00A 3.00V 30.00V 5.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQD2N50/STP2N50/UTC2N50
HM1N70PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 700.00V 1.00A 4.00A 3.00V 30.00V 10.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N70/FQN1N70/UTC1N70/STP1N70
HM3N40PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 400.00V 3.00A 9.00A 3.00V 30.00V 2.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N40/STP3N40/UTC3N40/PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
HM3N30PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 300.00V 3.00A 12.00A 2.70V 25.00V 2.60mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N30/STP3N30/UTC3N30/PFB3N30/FTP3N30/WFP3N30
HM5N30PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 300.00V 5.00A 15.00A 2.70V 25.00V 1.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP5N30/STP5N30/UTC5N30/PFB5N30/FTP5N30/WFP5N30
HM01N100PR 平面工艺
(planar)
SOT-89 N沟道 1000.00V 0.10A 0.30A 3.00V 30.00V 46.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ