Language：English

深圳市虹美功率半导体有限公司

Language：English
首页 产品分类 高压MOS

高压MOS

产品列表


型号（Part Number） 工艺
(Technology)		 封装（Package） 沟道（Polarity） VDS(Max)
BVDSS(V)		 ID(Max)
ID(A)		 IDM VTH
(Typ)		 VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)		 RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)		 直接替代型号（compatible）


Reset
平面工艺(planar) 平面工艺
(planar)
Reset
SOT-223 SOT-89 SOT23-3L TO-220 TO-220F TO-223 TO-251 TO-252 TO-263 TO-3P TO-92
Reset
N沟道
Reset
ResetOK
ResetOK
ResetOK
ResetOK
ResetOK
ResetOK
ResetOK
ResetOK
HM5N60K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 600.00V 5.00A 20.00A 3.00V 30.00V 2.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP5N60/FQN5N60/UTC5N60/STP5N60
HM1N60K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 600.00V 1.30A 5.00A 3.00V 30.00V 11.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
HM1N60PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 600.00V 1.30A 5.00A 3.00V 30.00V 11.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
HM2N60F 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 600.00V 2.00A 6.00A 3.00V 30.00V 3.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N60/FQN2N60/UTC2N60/STP2N60/2SK3067
HM4N60I 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 600.00V 4.00A 16.00A 3.00V 30.00V 1.70mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP4N60/FQN4N60/UTC4N60/STP4N60
HM2N65K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 650.00V 2.00A 6.00A 3.00V 30.00V 7.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65
HM2N65PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 650.00V 2.00A 6.00A 3.00V 30.00V 7.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65
HM5N65K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 650.00V 5.00A 20.00A 3.00V 30.00V 2.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP5N65/FQN5N65/UTC5N65/STP5N65
HM8N65K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 650.00V 8.00A 32.00A 3.00V 30.00V 1.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP8N65/FQN8N65/UTC8N65/STP8N65
HM2N50PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 500.00V 2.00A 4.00A 3.00V 30.00V 5.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQD2N50/STP2N50/UTC2N50
HM5N50K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 500.00V 5.00A 20.00A 3.00V 30.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRF830/FQD5N50/STP5N50/UTC5N50
HM1N70PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 700.00V 1.00A 4.00A 3.00V 30.00V 10.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N70/FQN1N70/UTC1N70/STP1N70
HM2N70K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 700.00V 2.00A 8.00A 3.00V 30.00V 4.70mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N70/FQN2N70/UTC2N70/STP2N70
HM3N70K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 700.00V 3.00A 12.00A 3.00V 30.00V 3.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N70/FQN3N70/UTC3N70/STP3N70
HM4N70K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 700.00V 4.00A 16.00A 3.00V 30.00V 2.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP4N70/FQA4N70/FQB4N70/SVF4N70/IXTH4N70/UTC4N7
HM6N70K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 700.00V 6.00A 24.00A 3.00V 30.00V 1.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP6N70/FQA6N70/FQB6N70/SVF6N70/IXTH6N70/UTC6N70
HM3N80K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 800.00V 3.00A 12.00A 3.00V 30.00V 4.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N80/FQN3N80/UTC3N80/STP3N80
HM3N90K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 900.00V 3.00A 12.00A 3.00V 30.00V 4.70mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N90/FQA3N90/UTC3N90/STP3N90
HM3N40PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 400.00V 3.00A 9.00A 3.00V 30.00V 2.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N40/STP3N40/UTC3N40/PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
HM3N30PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 300.00V 3.00A 12.00A 2.70V 25.00V 2.60mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N30/STP3N30/UTC3N30/PFB3N30/FTP3N30/WFP3N30
HM5N30PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 300.00V 5.00A 15.00A 2.70V 25.00V 1.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP5N30/STP5N30/UTC5N30/PFB5N30/FTP5N30/WFP5N30
HM15N25K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 250.00V 15.00A 45.00A 3.00V 20.00V 0.18mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ MDD15N25/ME15N25
HM4N65 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 650.00V 4.00A 16.00A 3.00V 30.00V 2.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP4N65/FQN4N65/UTC4N65/STP4N65
HM9N50K 平面工艺
(planar)		 TO-252 N沟道 500.00V 9.00A 27.00A 3.00V 30.00V 0.95mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRF840/FQP8N50/STP8N50/UTC8N50
HM01N100PR 平面工艺
(planar)		 SOT-89 N沟道 1000.00V 0.10A 0.30A 3.00V 30.00V 46.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM18N20K 平面工艺(planar) TO-252 N沟道 200.00V 18.00A 54.00A 3.00V 20.00V 0.10mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ AOD2210/IRFR4620/IRFR15N20D