高压MOS-深圳市虹美功率半导体有限公司

产品列表

型号（Part Number）	工艺 (Technology)	封装（Package）	沟道（Polarity）	VDS(Max) BVDSS(V)	ID(Max) ID(A)	IDM	VTH (Typ)	VGS	RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)	直接替代型号（compatible）
Reset	平面工艺(planar) 平面工艺 (planar) Reset	SOT-223 SOT-89 SOT23-3L TO-220 TO-220F TO-223 TO-251 TO-252 TO-263 TO-3P TO-92 Reset	N沟道 Reset	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK

HM1N60R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	600.00V	1.30A	5.00A	3.00V	30.00V	11.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
HM4N60R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	600.00V	4.00A	16.00A	3.00V	30.00V	1.70mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP4N60/FQN4N60/UTC4N60/STP4N60
HM2N65R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	650.00V	2.00A	6.00A	3.00V	30.00V	7.80mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65
HM4N65R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	650.00V	4.00A	16.00A	3.00V	30.00V	2.40mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP4N65/FQN4N65/UTC4N65/STP4N65
HM2N50R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	500.00V	2.00A	4.00A	3.00V	30.00V	5.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQD2N50/STP2N50/UTC2N50
HM5N50R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	500.00V	5.00A	20.00A	3.00V	30.00V	1.50mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IRF830/FQD5N50/STP5N50/UTC5N50
HM1N70R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	700.00V	1.00A	4.00A	3.00V	30.00V	10.50mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP1N70/FQN1N70/UTC1N70/STP1N70
HM2N70R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	700.00V	2.00A	8.00A	3.00V	30.00V	4.70mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP2N70/FQN2N70/UTC2N70/STP2N70
HM3N40R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	400.00V	3.00A	9.00A	3.00V	30.00V	2.80mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP3N40/STP3N40/UTC3N40/PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
HM3N30R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	300.00V	3.00A	12.00A	2.70V	25.00V	2.60mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP3N30/STP3N30/UTC3N30/PFB3N30/FTP3N30/WFP3N30
HM5N30R	平面工艺 (planar)	SOT-223	N沟道	300.00V	5.00A	15.00A	2.70V	25.00V	1.20mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	FQP5N30/STP5N30/UTC5N30/PFB5N30/FTP5N30/WFP5N30