Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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高压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM1N60R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 600.00V 1.30A 5.00A 3.00V 30.00V 11.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
HM4N60R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 600.00V 4.00A 16.00A 3.00V 30.00V 1.70mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP4N60/FQN4N60/UTC4N60/STP4N60
HM20N60A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 600.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.36mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N60/FQN20N60/UTC20N60/STP20N60
HM20N65A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 650.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.37mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N65/FQN20N65/UTC20N65/STP20N65
HM18N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 18.00A 64.00A 3.00V 30.00V 0.24mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM20N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.21mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N50/FQN20N50/UTC20N50/STP20N50
HM25N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 25.00A 100.00A 3.00V 20.00V 0.21mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP25N50/FQN25N50/UTC25N50/STP25N50
HM10N80A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 800.00V 10.00A 40.00A 3.00V 30.00V 0.72mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP10N80/FQA10N80/UTC10N80/STP10N80
HM9N90A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 900.00V 9.00A 36.00A 3.00V 30.00V 1.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP9N90/FQN9N90/UTC9N90/STP9N90
HM3N120A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1200.00V 3.00A 12.00A 4.00V 30.00V 5.10mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IXTA3N120
HM18N40A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 400.00V 18.00A 72.00A 3.00V 30.00V 0.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ SIF18N40/JCS18N40/FQP18N40/STP18N40/UTC18N40/PFB18N40/KIA18N40/FTP18N40/WFP18N40
HM25N60A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 600.00V 25.00A 75.00A 3.00V 30.00V 0.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FCP25N60/STF25N60
HM2N65R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 650.00V 2.00A 6.00A 3.00V 30.00V 7.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N65/FQN2N65/UTC2N65/STP2N65
HM4N65R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 650.00V 4.00A 16.00A 3.00V 30.00V 2.40mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP4N65/FQN4N65/UTC4N65/STP4N65
HM25N65A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 650.00V 25.00A 75.00A 3.00V 30.00V 0.25mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP25N65/FQPF25N65
HM2N50R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 500.00V 2.00A 4.00A 3.00V 30.00V 5.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQD2N50/STP2N50/UTC2N50
HM5N50R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 500.00V 5.00A 20.00A 3.00V 30.00V 1.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IRF830/FQD5N50/STP5N50/UTC5N50
HM1N70R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 700.00V 1.00A 4.00A 3.00V 30.00V 10.50mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP1N70/FQN1N70/UTC1N70/STP1N70
HM2N70R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 700.00V 2.00A 8.00A 3.00V 30.00V 4.70mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP2N70/FQN2N70/UTC2N70/STP2N70
HM8N100A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1000.00V 8.00A 24.00A 3.50V 30.00V 1.18mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ 8N100
HM3N150A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1500.00V 3.00A 12.00A 4.00V 30.00V 5.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ STP3N150/STWN150
HM3N40R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 400.00V 3.00A 9.00A 3.00V 30.00V 2.80mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N40/STP3N40/UTC3N40/PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
HM3N30R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 300.00V 3.00A 12.00A 2.70V 25.00V 2.60mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP3N30/STP3N30/UTC3N30/PFB3N30/FTP3N30/WFP3N30
HM5N30R 平面工艺
(planar)
SOT-223 N沟道 300.00V 5.00A 15.00A 2.70V 25.00V 1.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP5N30/STP5N30/UTC5N30/PFB5N30/FTP5N30/WFP5N30